產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
HVPE外延爐——立式
所屬分類(lèi)：
Ga2O3單晶生長(zhǎng)及外延設(shè)備
HVPE外延爐
概要：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞：
HVPE外延爐——立式
HVPE外延爐——立式
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）等外延生長(zhǎng)。
This device is mainly used for epitaxial growth of gallium oxide (Ga2O3), aluminum nitride (AIN), and other materials.
提供2英寸驗(yàn)證工藝
Provide 2 inches validation process.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
♦襯底:2-8英寸
Substrate size :2-8 inches
♦數(shù)量:1片/多片
Quantity:1pcs/multiple pcs
♦控溫精度:精度高，溫區(qū)穩(wěn)定性好
Temperature control precision : High temperature control precision and good statlity in temperature zone.
♦結(jié)構(gòu):立式/臥式可選，滿(mǎn)足多種尺寸襯底多種操作方式需要
Structure: Vtica/horizontal structual is optional,can meet theneeds of customerswith various sizes ofsubstrates and variousoperation modes.
♦安全保護(hù)功能:硬件保護(hù)+軟件互鎖
Security protection: Hardware protection+software interlock.
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